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    在離子濺射期間在石墨層上形成波紋結構


    瀏覽次數:282 ? ? 時間:2019-07-03

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    由離子轟擊引起的表面粗糙度會影響濺射產率并且在深度剖析期間惡化深度分辨率。在這項工作中,通過原子力顯微鏡(AFM)研究了在光滑的硅襯底上沉積的50nm厚的Ta層上60nm厚的非晶石墨層的粗糙化。 AFM測量是在剛沉積的樣品表面上進行的,并在離子濺射后用1 keV離子束在碳層中間的離子入射角為22°,49°和71°并且在C / Ta接口。在靜態和旋轉樣品上用一個和兩個離子束進行離子轟擊,初始表面粗糙度Ra為0.13±0.05nm。在靜態樣品上,在石墨層以及C / Ta界面處,在49°和71°的離子入射角下發現納米級的波紋形成。根據濺射參數,發現波紋的波長在18.0±4.0和31.4±4.0nm之間,振幅在1.0±0.2和4.9±0.2nm之間,產生的粗糙度參數Ra在0.4±0.1和1.6±之間。在1×1μm面積上測量0.1nm。出乎意料的是,在掠入射離子入射角為71°時發現石墨層中形成更強的波紋。通過樣品旋轉抑制波紋形成。
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